本驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
●欠压闭锁功能
●自适应贯通保护功能
●自举电源电压至 114V
●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
●1.75A 峰值底端栅极上拉电流
●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
●宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V
●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
●欠压闭锁功能
●自适应贯通保护功能
●自举电源电压至 114V
●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
●1.75A 峰值底端栅极上拉电流
●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
●宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V
●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET